对比图
型号 SI4420DY SI4420DY-E3 SI4420DYTRPBF
描述 Trans MOSFET N-CH 30V 12.5A 8Pin SOICPower Field-Effect Transistor, 9.5A I(D), 30V, 0.009ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, SO-8晶体管, MOSFET, N沟道, 12.5 A, 30 V, 0.009 ohm, 10 V, 1 V
数据手册 ---
制造商 Infineon (英飞凌) Vishay Siliconix Infineon (英飞凌)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
封装 SO-8 SO SOIC-8
引脚数 8 - 8
漏源极电阻 - 7.50 mΩ 0.009 Ω
极性 N-Channel N-Channel N-Channel
耗散功率 2.5W (Ta) 1.50 W 2.5 W
栅源击穿电压 - ±20.0 V -
连续漏极电流(Ids) 12.5 A 13.5 A -
额定电压(DC) 30.0 V - -
额定电流 12.5 A - -
产品系列 SI4420DY - -
漏源极电压(Vds) 30 V - 30 V
漏源击穿电压 30.0 V - -
上升时间 10 ns - 10 ns
输入电容(Ciss) 2240pF @15V(Vds) - 2240pF @15V(Vds)
下降时间 47 ns - 47 ns
耗散功率(Max) 2.5W (Ta) - 2.5W (Ta)
针脚数 - - 8
阈值电压 - - 1 V
额定功率(Max) - - 2.5 W
工作温度(Max) - - 150 ℃
工作温度(Min) - - -55 ℃
封装 SO-8 SO SOIC-8
产品生命周期 Active Obsolete Active
包装方式 Bulk Tube Tape & Reel (TR)
RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Contains Lead - 无铅
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) - -55℃ ~ 150℃ (TJ)