BZX884-B33和BZX884-B33,315

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BZX884-B33 BZX884-B33,315

描述 Zener Diode, 33V V(Z), 2%, 0.25W, Silicon, UnidirectionalDFN 33V 0.25W(1/4W)

数据手册 --

制造商 Nexperia (安世) NXP (恩智浦)

分类 齐纳二极管

基础参数对比

安装方式 - Surface Mount

引脚数 - 2

封装 - SOD-882

容差 - ±2 %

正向电压 - 900mV @10mA

耗散功率 - 0.25 W

测试电流 - 2 mA

稳压值 - 33 V

额定功率(Max) - 250 mW

工作温度(Max) - 150 ℃

工作温度(Min) - -65 ℃

耗散功率(Max) - 250 mW

正向电压(Max) - 900mV @10mA

封装 - SOD-882

高度 - 0.47 mm

工作温度 - -65℃ ~ 150℃

温度系数 - 29.7 mV/K

产品生命周期 Active Active

包装方式 - Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 - Lead Free

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