BFR193WE6327和BFS520

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BFR193WE6327 BFS520 BFS520,115

描述 RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.08A I(C), 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, NPNBFS520 NPN三极管 20V 20mA 9Ghz 60~250 SOT-323/SC-70 marking/标记 N2NXP Semiconductors

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) NXP (恩智浦) NXP (恩智浦)

分类 晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount - Surface Mount

引脚数 3 - 3

封装 SOT-323 SOT-323 SOT-323-3

额定电压(DC) 12.0 V - -

额定电流 65.0 mA - -

输入电容 1.8 pF - -

工作温度(Max) 150 ℃ - 175 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ - -65 ℃

耗散功率(Max) 580 mW - 300 mW

极性 - - NPN

耗散功率 - - 300 mW

增益频宽积 - - 9000 MHz

击穿电压(集电极-发射极) - - 15 V

增益 - - 13dB ~ 14dB

最小电流放大倍数(hFE) - - 60 @20mA, 6V

最大电流放大倍数(hFE) - - 60

额定功率(Max) - - 300 mW

封装 SOT-323 SOT-323 SOT-323-3

长度 - - 2.2 mm

宽度 - - 1.35 mm

高度 - - 1 mm

材质 Silicon - -

工作温度 - - 175℃ (TJ)

产品生命周期 Obsolete Unknown Active

包装方式 Tape & Reel (TR) - Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

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