TN5325K1-G和VN2410L-G

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 TN5325K1-G VN2410L-G

描述 晶体管, MOSFET, DMOS, N沟道, 150 mA, 250 V, 7 ohm, 10 V, 2 VSupertex N 通道增强型模式 MOSFET 晶体管Microchip Supertex 系列 N 通道增强型模式(常闭)DMOS FET 晶体管适合各种需要低阈值电压、高击穿电压、高输入阻抗,低输入电容和快速切换速度的开关和放大应用。### MOSFET 晶体管,Microchip

数据手册 --

制造商 Microchip (微芯) Microchip (微芯)

分类 MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Through Hole

引脚数 3 3

封装 SOT-23-3 TO-92-3

额定功率 0.36 W 1 W

针脚数 3 3

漏源极电阻 7 Ω 10 Ω

耗散功率 360 mW 1 W

阈值电压 2 V 2 V

漏源极电压(Vds) 250 V 240 V

上升时间 15 ns 8 ns

输入电容(Ciss) 110pF @25V(Vds) 125 pF

下降时间 25 ns 24 ns

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 360mW (Ta) 1W (Tc)

通道数 - -

极性 N-CH -

漏源击穿电压 - -

栅源击穿电压 - -

连续漏极电流(Ids) 0.15A -

长度 - 5.2 mm

宽度 - 4.19 mm

高度 - 5.33 mm

封装 SOT-23-3 TO-92-3

材质 Silicon Silicon

工作温度 -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Unknown Unknown

包装方式 Tape & Reel (TR) Bag

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free

ECCN代码 - -

HTS代码 - -

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