IRFR420B和IRFR420BTM

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IRFR420B IRFR420BTM IRFR420BTF

描述 500V N沟道MOSFET 500V N-Channel MOSFETTrans MOSFET N-CH 500V 2.3A 3Pin(2+Tab) DPAK T/RTrans MOSFET N-CH 500V 2.3A 3Pin(2+Tab) DPAK T/R

数据手册 ---

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童)

分类 MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Through Hole

封装 DPAK TO-252-3 TO-220-3

漏源极电阻 - 2.60 Ω 2.1 Ω

极性 N-CH N-Channel N-Channel

耗散功率 - 2.5 W 2.5 W

漏源极电压(Vds) 500 V 500 V 500 V

漏源击穿电压 - 60.0 V 500 V

栅源击穿电压 - ±30.0 V ±30.0 V

连续漏极电流(Ids) 2.3A 2.30 A 2.30 A

输入电容(Ciss) - 610pF @25V(Vds) -

额定功率(Max) - 2.5 W -

耗散功率(Max) - 2.5W (Ta), 41W (Tc) -

通道数 - - 1

上升时间 - - 30 ns

下降时间 - - 35 ns

工作温度(Max) - - 150 ℃

工作温度(Min) - - 55 ℃

封装 DPAK TO-252-3 TO-220-3

长度 - - 10.67 mm

宽度 - - 4.7 mm

高度 - - 16.3 mm

工作温度 - -55℃ ~ 150℃ (TJ) -

产品生命周期 Unknown Unknown Unknown

包装方式 - Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 - RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 - Lead Free Lead Free

ECCN代码 - EAR99 EAR99

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