IRF6645和IRF6645PBF

对比图

型号 IRF6645 IRF6645PBF IRF6645TRPBF

描述 Direct-FET N-CH 100V 5.7ADirect-FET N-CH 100V 5.7ASingle N-Channel 100V 3W 20NC SMT Power Mosfet - DirectFETIsometric SJ

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) International Rectifier (国际整流器)

分类 MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount - Surface Mount

引脚数 7 7 7

封装 Direct-FET Direct-FET Direct-FET

极性 N-CH N-CH N-Channel

耗散功率 3 W - 2.2 W

漏源极电压(Vds) 100 V 100 V 100 V

连续漏极电流(Ids) 5.7A 5.7A 4.50 A, 5.70 mA

上升时间 5 ns 5 ns 5.00 ns

输入电容(Ciss) 890pF @25V(Vds) 890pF @25V(Vds) 890pF @25V(Vds)

下降时间 5.1 ns 5.1 ns -

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ -

工作温度(Min) -40 ℃ -40 ℃ -

耗散功率(Max) 3W (Ta), 42W (Tc) 2200 mW -

额定电压(DC) - - 100 V

额定电流 - - 5.70 A

产品系列 - - IRF6645

输入电容 - - 890 pF

栅电荷 - - 20.0 nC

漏源击穿电压 - - 100 V

额定功率(Max) - - 3 W

长度 4.85 mm - -

宽度 3.95 mm - -

高度 0.7 mm - -

封装 Direct-FET Direct-FET Direct-FET

材质 Silicon Silicon -

工作温度 -40℃ ~ 150℃ (TJ) - -

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) - Tape & Reel (TR)

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead - Lead Free