IXFA10N80P和IXFH10N80P

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IXFA10N80P IXFH10N80P APT11F80B

描述 IXYS SEMICONDUCTOR  IXFA10N80P  功率场效应管, MOSFET, 极性FET, N沟道, 10 A, 800 V, 1.1 ohm, 10 V, 5.5 VN沟道 800V 10AN沟道FREDFET N-Channel FREDFET

数据手册 ---

制造商 IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor Microsemi (美高森美)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Through Hole Through Hole

引脚数 3 3 3

封装 TO-263-3 TO-247-3 TO-247-3

通道数 1 1 -

漏源极电阻 1.1 Ω 1.1 Ω -

耗散功率 300 W 300 W 337W (Tc)

阈值电压 5.5 V 5.5 V -

漏源极电压(Vds) 800 V 800 V 800 V

漏源击穿电压 800 V 800 V -

上升时间 22 ns 22 ns -

输入电容(Ciss) 2050pF @25V(Vds) 2050pF @25V(Vds) 2471pF @25V(Vds)

下降时间 22 ns 22 ns -

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ -

工作温度(Min) 55 ℃ 55 ℃ -

耗散功率(Max) 300W (Tc) 300W (Tc) 337W (Tc)

额定电压(DC) - - 800 V

额定电流 - - 11.0 A

极性 N-Channel - N-CH

输入电容 - - 1.59 nF

栅电荷 - - 60.0 nC

连续漏极电流(Ids) - - 11.0 A

额定功率(Max) - - 337 W

针脚数 3 - -

长度 - 16.26 mm -

宽度 - 5.3 mm -

高度 - 21.46 mm -

封装 TO-263-3 TO-247-3 TO-247-3

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tube Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC - -

REACH SVHC版本 2015/06/15 - -

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