对比图
型号 STP24NM65N STW20NM65N STP23NM60N
描述 N沟道650 V - 0.16 Ω - 19 A - TO- 220 - TO- 220FP - D2PAK I2PAK - TO-247第二代的MDmesh ™功率MOSFET N-channel 650 V - 0.16 Ω - 19 A - TO-220 - TO-220FP - D2PAK I2PAK - TO-247 second generation MDmesh™ Power MOSFETMOSFET N-CH 650V 19A TO-247N沟道600 V - 0.150 Ω - 19 A - D2PAK - I2PAK - TO- 220 / FP TO- 247 ，第二代的MDmesh ™功率MOSFET N-channel 600 V - 0.150 Ω - 19 A - D2PAK - I2PAK - TO-220/FP TO-247, second generation MDmesh™ Power MOSFET
数据手册 ---
制造商 ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
封装 TO-220-3 TO-247-3 TO-220-3
引脚数 - - 3
极性 N-CH - N-Channel
耗散功率 160W (Tc) 160W (Tc) 150 W
漏源极电压(Vds) 650 V 650 V 600 V
连续漏极电流(Ids) 19A - 9.50 A
输入电容(Ciss) 2500pF @50V(Vds) 2500pF @50V(Vds) 2050pF @50V(Vds)
额定功率(Max) 160 W - 150 W
耗散功率(Max) 160W (Tc) 160W (Tc) 150W (Tc)
通道数 - - 1
漏源极电阻 - - 180 mΩ
漏源击穿电压 - - 600 V
上升时间 - - 15 ns
下降时间 - - 36 ns
工作温度(Max) - - 150 ℃
工作温度(Min) - - 55 ℃
封装 TO-220-3 TO-247-3 TO-220-3
长度 - - 10.4 mm
宽度 - - 4.6 mm
高度 - - 9.15 mm
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) 150℃ (TJ)
产品生命周期 Not Recommended for New Designs Unknown Obsolete
包装方式 Tube Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free