对比图
型号 IRGIB6B60KD116P IRGIB6B60KDPBF
描述 Trans IGBT Chip N-CH 600V 11A 3Pin(3+Tab) TO-220 Full-PackTO-220AB 整包
数据手册 --
制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)
分类 IGBT晶体管IGBT晶体管
安装方式 Through Hole Through Hole
引脚数 3 3
封装 TO-220-3 TO-220-3
额定功率 - 32 W
耗散功率 - 38000 mW
击穿电压(集电极-发射极) 600 V 600 V
反向恢复时间 70 ns 70 ns
额定功率(Max) 38 W 38 W
工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 38000 mW 38000 mW
封装 TO-220-3 TO-220-3
工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)
产品生命周期 Unknown Active
包装方式 Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free
ECCN代码 - EAR99