对比图
型号 IPB034N06L3GATMA1 IPB037N06N3GATMA1 IPD048N06L3 G
描述 INFINEON IPB034N06L3GATMA1 晶体管, MOSFET, N沟道, 90 A, 60 V, 0.0027 ohm, 10 V, 1.7 VInfineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET IPB037N06N3GATMA1, 90 A, Vds=60 V, 3引脚 D2PAK (TO-263)封装INFINEON IPD048N06L3 G 晶体管, MOSFET, N沟道, 90 A, 60 V, 0.0037 ohm, 10 V, 1.7 V
数据手册 ---
制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 3 3 3
封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-252-3
通道数 - 1 1
针脚数 3 3 3
漏源极电阻 0.0027 Ω 0.003 Ω 0.0037 Ω
极性 N-Channel N-Channel N-Channel
耗散功率 167 W 188 W 115 W
阈值电压 1.7 V 3 V 1.7 V
漏源极电压(Vds) 60 V 60 V 60 V
上升时间 78 ns 70 ns 5 ns
输入电容(Ciss) 10000pF @30V(Vds) 8000pF @30V(Vds) 6300pF @30V(Vds)
额定功率(Max) - - 115 W
下降时间 13 ns 5 ns 12 ns
工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ 175 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 167 W 188000 mW 115 W
额定功率 167 W 188 W -
漏源击穿电压 - 60 V -
连续漏极电流(Ids) 90A 90A -
长度 10.31 mm 10 mm 6.5 mm
宽度 9.45 mm 9.25 mm 6.22 mm
高度 4.57 mm 4.4 mm 2.3 mm
封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-252-3
工作温度 -55℃ ~ 175℃ - -55℃ ~ 175℃
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/12/17 2015/12/17
ECCN代码 - - EAR99