对比图
型号 NTD4863N-1G NTD4910N-1G
描述 23A,25V功率MOSFET功率MOSFET的30 V ， 37 A单N沟道， DPAK / IPAK Power MOSFET 30 V, 37 A, Single N−Channel, DPAK/IPAK
数据手册 --
制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美)
分类 MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole
引脚数 3 -
封装 TO-251-3 IPAK
极性 N-Channel -
耗散功率 1.27W (Ta), 36.6W (Tc) -
漏源极电压(Vds) 25 V -
连续漏极电流(Ids) 8.60 A -
输入电容(Ciss) 990pF @12V(Vds) -
额定功率(Max) 1.27 W -
工作温度(Max) 175 ℃ -
工作温度(Min) -55 ℃ -
耗散功率(Max) 1.27W (Ta), 36.6W (Tc) -
封装 TO-251-3 IPAK
工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -
产品生命周期 Unknown Unknown
包装方式 Tube Rail
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free
ECCN代码 EAR99 -