MMBTH10和MMBTH10LT1G

对比图

型号 MMBTH10 MMBTH10LT1G BFR520@215

描述 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  MMBTH10  晶体管 双极-射频, NPN, 25 V, 650 MHz, 225 mW, 50 mA, 60 hFEON SEMICONDUCTOR  MMBTH10LT1G  单晶体管 双极, 通用, NPN, 25 V, 650 MHz, 225 mW, 4 mA, 60 hFEBFR520@215

数据手册 ---

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) ON Semiconductor (安森美) NXP (恩智浦)

分类 双极性晶体管双极性晶体管晶体管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 3

封装 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23-3

极性 NPN NPN NPN

频率 650 MHz 650 MHz -

额定电压(DC) 25.0 V 25.0 V -

额定电流 50.0 mA 4.00 mA -

针脚数 3 3 -

耗散功率 225 mW 225 mW -

击穿电压(集电极-发射极) 25 V 25 V -

最小电流放大倍数(hFE) 60 @4mA, 10V 60 @4mA, 10V -

额定功率(Max) 225 mW 225 mW -

直流电流增益(hFE) 60 60 -

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ -

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -

无卤素状态 - Halogen Free -

耗散功率(Max) - 225 mW -

封装 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23-3

高度 0.93 mm 1.01 mm -

长度 - 3.04 mm -

宽度 - 1.4 mm -

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC -

REACH SVHC版本 2015/06/15 2015/12/17 -

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ -

材质 - Silicon -

ECCN代码 EAR99 EAR99 -