对比图
型号 IXFH32N50Q IXFH44N50P STD15NF10T4
描述 TO-247AD N-CH 500V 32AIXYS SEMICONDUCTOR IXFH44N50P 晶体管, MOSFET, 极性FET, N沟道, 44 A, 500 V, 140 mohm, 10 V, 5 VSTMICROELECTRONICS STD15NF10T4 晶体管, MOSFET, N沟道, 23 A, 100 V, 65 mohm, 10 V, 3 V
数据手册 ---
制造商 IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor ST Microelectronics (意法半导体)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole Surface Mount
引脚数 3 3 3
封装 TO-247-3 TO-247-3 TO-252-3
额定功率 416 W - -
通道数 1 1 1
极性 N-CH N-Channel N-Channel
耗散功率 416 W 650 W 70 W
漏源极电压(Vds) 500 V 500 V 100 V
连续漏极电流(Ids) 32A 44.0 A 23.0 A
上升时间 42 ns 29 ns 45 ns
输入电容(Ciss) 4925pF @25V(Vds) 5440pF @25V(Vds) 870pF @25V(Vds)
下降时间 20 ns 27 ns 17 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 175 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 360W (Tc) 658W (Tc) 70W (Tc)
额定电压(DC) - 500 V 100 V
额定电流 - 44.0 A 23.0 A
针脚数 - 3 3
漏源极电阻 - 0.14 Ω 0.065 Ω
阈值电压 - 5 V 3 V
漏源击穿电压 - 500 V 100 V
栅源击穿电压 - - ±20.0 V
额定功率(Max) - 650 W 70 W
输入电容 - 5.44 nF -
栅电荷 - 98.0 nC -
反向恢复时间 - 200 ns -
宽度 5.3 mm 5.3 mm 6.2 mm
封装 TO-247-3 TO-247-3 TO-252-3
长度 - 16.26 mm 6.6 mm
高度 - 21.46 mm 2.4 mm
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃
产品生命周期 Obsolete Active Active
包装方式 Tube Tube Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 - No SVHC No SVHC
REACH SVHC版本 - 2015/06/15 2015/12/17
ECCN代码 - - EAR99