对比图
描述 INFINEON IPB60R299CP 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 11 A, 650 V, 0.27 ohm, 10 V, 3 V的CoolMOS功率晶体管 CoolMOS Power Transistor
数据手册 --
制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)
分类 MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount
封装 TO-263-3 TO-263-3
引脚数 3 -
通道数 1 1
极性 N-Channel N-CH
漏源极电压(Vds) 600 V 600 V
连续漏极电流(Ids) 11.0 A 11A
下降时间 5 ns 5 ns
针脚数 3 -
漏源极电阻 0.27 Ω -
耗散功率 96 W -
阈值电压 3 V -
漏源击穿电压 600 V -
上升时间 5 ns -
输入电容(Ciss) 1100pF @100V(Vds) -
额定功率(Max) 96 W -
工作温度(Max) 150 ℃ -
工作温度(Min) 55 ℃ -
耗散功率(Max) 96W (Tc) -
长度 10 mm 10 mm
宽度 9.25 mm 9.25 mm
高度 4.4 mm 4.4 mm
封装 TO-263-3 TO-263-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -40℃ ~ 150℃
产品生命周期 Obsolete Active
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC -
REACH SVHC版本 2015/12/17 -
ECCN代码 EAR99 -