对比图
型号 FDS6676AS IRF8113TRPBF STS14N3LLH5
描述 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDS6676AS 晶体管, MOSFET, N沟道+肖特基, 14.5 A, 30 V, 0.0045 ohm, 10 V, 1.5 VN沟道,30V,17.2A,5.6mΩ@10VN沟道30 V ， 0.005 Ω ， 14 A - SO- 8的STripFET ™ V功率MOSFET N-channel 30 V, 0.005 Ω, 14 A - SO-8 STripFET™ V Power MOSFET
数据手册 ---
制造商 Fairchild (飞兆/仙童) International Rectifier (国际整流器) ST Microelectronics (意法半导体)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 8 8 8
封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8
额定电压(DC) - 30.0 V -
额定电流 - 16.6 A -
漏源极电阻 0.0045 Ω 6.8 mΩ 5 mΩ
极性 N-Channel N-Channel N-Channel
耗散功率 2.5 W 2.5 W 2.7 W
产品系列 - IRF8113 -
输入电容 - 2910pF @15V -
漏源极电压(Vds) 30 V 30 V 30 V
漏源击穿电压 30 V 30 V 30 V
连续漏极电流(Ids) 14.5 A 17.2 A 7.00 A
上升时间 12 ns 8.90 ns 14.5 ns
输入电容(Ciss) 2510pF @15V(Vds) 2910pF @15V(Vds) 1500pF @25V(Vds)
额定功率(Max) 1 W 2.5 W 2.7 W
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
通道数 1 - 1
阈值电压 1.5 V - 1 V
下降时间 29 ns - 4.5 ns
耗散功率(Max) 2.5W (Ta) - 2.7W (Tc)
针脚数 8 - -
栅源击穿电压 ±16.0 V - -
长度 5 mm 5 mm 5 mm
高度 1.5 mm 1.5 mm 1.65 mm
封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8
宽度 4 mm - 4 mm
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active Obsolete
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC - No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15 - 2015/12/17
ECCN代码 EAR99 - -