PBSS4032SPN和PBSS4032SPN,115

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 PBSS4032SPN PBSS4032SPN,115 PBSS4032SPN,118

描述 NXP  PBSS4032SPN  双极晶体管阵列, NPN, PNP, 30 V, 2.3 W, 5.7 A, 300 hFE, SOICSO NPN+PNP 30V 5.7A/4.8ASmall Signal Bipolar Transistor

数据手册 ---

制造商 NXP (恩智浦) NXP (恩智浦) Nexperia (安世)

分类 双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount -

引脚数 8 8 -

封装 SOIC-96 SOT-96-1 -

针脚数 8 - -

极性 NPN, PNP NPN, PNP -

耗散功率 2.3 W 2.3 W -

击穿电压(集电极-发射极) 30 V 30 V -

集电极最大允许电流 5.7A/4.8A 5.7A/4.8A -

直流电流增益(hFE) 300 - -

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ -

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -

耗散功率(Max) 2.3 W 2300 mW -

频率 - 140 MHz -

最小电流放大倍数(hFE) - 300 -

额定功率(Max) - 2.3 W -

长度 5 mm - -

宽度 4 mm - -

高度 1.75 mm 1.45 mm -

封装 SOIC-96 SOT-96-1 -

产品生命周期 Unknown Active Active

包装方式 Cut Tape (CT) Tape & Reel (TR) -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant -

REACH SVHC标准 No SVHC - -

REACH SVHC版本 2015/12/17 - -

含铅标准 - Lead Free -

工作温度 - 150℃ (TJ) -

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