对比图
型号 STD5N20LT4 STD5N20T4 IRFR220NPBF
描述 STMICROELECTRONICS STD5N20LT4 晶体管, MOSFET, N沟道, 2.5 A, 200 V, 650 mohm, 5 V, 2.5 VN 通道 STripFET™，STMicroelectronics### MOSFET 晶体管，STMicroelectronicsINTERNATIONAL RECTIFIER IRFR220NPBF 场效应管, N 通道, MOSFET, 200V, 5A, D-PAKS 新
数据手册 ---
制造商 ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体) International Rectifier (国际整流器)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 3 3 3
封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3
额定电压(DC) 200 V 200 V 200 V
额定电流 5.00 A 5.00 A 5.00 A
漏源极电阻 0.65 Ω 0.7 Ω 600 mΩ
极性 N-Channel, P-Channel N-Channel N-Channel
耗散功率 33 W 45 W 43 W
阈值电压 2.5 V 3 V 4 V
漏源极电压(Vds) 200 V 200 V 200 V
漏源击穿电压 200 V 200 V 200 V
栅源击穿电压 ±20.0 V ±20.0 V -
连续漏极电流(Ids) 5.00 A 5.00 A 5.00 A
上升时间 21.5 ns 30 ns 11.0 ns
输入电容(Ciss) 242pF @25V(Vds) 350pF @25V(Vds) 300pF @25V(Vds)
额定功率(Max) 33 W 45 W 43 W
下降时间 15.5 ns 10 ns -
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 175 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -65 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 33W (Tc) 45W (Tc) -
针脚数 3 - 3
产品系列 - - IRFR220N
通道数 1 - -
长度 6.6 mm 6.6 mm -
宽度 6.2 mm 6.2 mm -
高度 2.4 mm 2.4 mm -
封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) 150℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃
产品生命周期 Active Not Recommended for New Designs Active
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Rail, Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/12/17 2015/12/17