BSZ110N06NS3G和S5820

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BSZ110N06NS3G S5820 NTTFS5820NLTAG

描述 60V,11mΩ,20A,N沟道功率MOSFETSingle N-Channel Power MOSFET 60V, 37A, 11.5mΩ, WDFN8 3.3x3.3, 0.65P, 1500-REELON SEMICONDUCTOR  NTTFS5820NLTAG  晶体管, MOSFET, N沟道, 37 A, 60 V, 0.0101 ohm, 10 V, 1.5 V

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美)

分类 MOS管MOS管

基础参数对比

封装 - 511AB WDFN-8

安装方式 Surface Mount - Surface Mount

引脚数 8 - 8

封装 - 511AB WDFN-8

长度 - - 3.15 mm

宽度 - - 3.15 mm

高度 - - 0.8 mm

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 - - Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free - Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC - No SVHC

REACH SVHC版本 - - 2016/06/20

针脚数 - - 8

漏源极电阻 - - 0.0101 Ω

极性 N-Channel - N-Channel

耗散功率 - - 33 W

阈值电压 - - 1.5 V

输入电容 - - 1462 pF

漏源极电压(Vds) - - 60 V

连续漏极电流(Ids) - - 11A

上升时间 - - 28 ns

输入电容(Ciss) - - 1462pF @25V(Vds)

额定功率(Max) - - 2.7 W

下降时间 - - 22 ns

工作温度(Max) - - 150 ℃

工作温度(Min) - - -55 ℃

耗散功率(Max) - - 2.7W (Ta), 33W (Tc)

工作温度 - - -55℃ ~ 150℃ (TJ)

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