STL18N55M5和STL24N60M2

对比图

型号 STL18N55M5 STL24N60M2 STL23N85K5

描述 N 通道 MDmesh™，600V/650V，STMicroelectronics### MOSFET 晶体管，STMicroelectronics600V,0.186Ω,18A,N沟道功率MOSFETPower N-CH 850V 2.1A

数据手册 ---

制造商 ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 5 5 -

封装 PowerFLAT-8x8-HV-5 PowerFlat-4 Power

耗散功率 90 W 125W (Tc) -

漏源极电压(Vds) 550 V 600 V 850 V

上升时间 9.5 ns 9 ns -

输入电容(Ciss) 1352pF @100V(Vds) 1060pF @100V(Vds) -

额定功率(Max) 3 W 125 W -

下降时间 13 ns 15 ns -

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ -

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -

耗散功率(Max) 3W (Ta), 90W (Tc) 125W (Tc) -

漏源极电阻 - 0.21 Ω -

极性 - N-CH N-CH

连续漏极电流(Ids) - 18A 2.1A

长度 8 mm - -

宽度 8 mm - -

高度 0.95 mm - -

封装 PowerFLAT-8x8-HV-5 PowerFlat-4 Power

材质 Silicon - -

工作温度 150℃ (TJ) 150℃ (TJ) -

产品生命周期 Not Recommended for New Designs Active Pre-Release

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free -