FDC6401N和FDC6401N_NL

对比图

型号 FDC6401N FDC6401N_NL

描述 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDC6401N  双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 3 A, 20 V, 70 mohm, 4.5 V, 900 mVMOSFET Dual N-Ch 2.5V PowerTrench MOSFET

数据手册 --

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童)

分类 MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount

引脚数 6 -

封装 TSOT-23-6 SSOT-6

额定电压(DC) 20.0 V -

额定电流 3.00 A -

针脚数 6 -

漏源极电阻 70 mΩ 70 mΩ

极性 N-Channel, Dual N-Channel N-CH

耗散功率 960 mW 960 mW

阈值电压 900 mV -

输入电容 324 pF -

栅电荷 3.30 nC -

漏源极电压(Vds) 20 V 20 V

漏源击穿电压 20.0 V 20 V

栅源击穿电压 ±12.0 V -

连续漏极电流(Ids) 3.00 A 3A

上升时间 7 ns 7 ns

输入电容(Ciss) 324pF @10V(Vds) -

额定功率(Max) 700 mW -

下降时间 1.6 ns 7 ns

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ 55 ℃

耗散功率(Max) 0.96 W -

通道数 - 2

长度 3 mm 2.9 mm

宽度 1.7 mm 1.6 mm

高度 1 mm 1.1 mm

封装 TSOT-23-6 SSOT-6

工作温度 -55℃ ~ 150℃ -

产品生命周期 Active Obsolete

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free -

REACH SVHC标准 No SVHC -

REACH SVHC版本 2015/06/15 -

ECCN代码 EAR99 EAR99