对比图
型号 RSD080N06TL TK8S06K3L H7N0607DSTL
描述 晶体管, MOSFET, N沟道, 8 A, 60 V, 0.057 ohm, 10 V, 2.5 VDPAK N-CH 60V 8A硅N沟道MOS FET高速电源开关 Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching
数据手册 ---
制造商 ROHM Semiconductor (罗姆半导体) Toshiba (东芝) Renesas Electronics (瑞萨电子)
分类 MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount -
封装 TO-252-3 TO-252-3 -
引脚数 3 - -
极性 N-Channel N-CH -
漏源极电压(Vds) 60 V 60 V -
连续漏极电流(Ids) - 8A -
输入电容(Ciss) 380pF @10V(Vds) 400pF @10V(Vds) -
额定功率(Max) - 25 W -
针脚数 3 - -
漏源极电阻 0.057 Ω - -
耗散功率 15 W - -
阈值电压 2.5 V - -
上升时间 13 ns - -
下降时间 10 ns - -
工作温度(Max) 150 ℃ - -
工作温度(Min) -55 ℃ - -
耗散功率(Max) 15W (Tc) - -
封装 TO-252-3 TO-252-3 -
工作温度 150℃ (TJ) 175℃ (TJ) -
材质 Silicon - -
产品生命周期 Not Recommended Active Active
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) -
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free - -