对比图
型号 STB22NS25ZT4 STD18N55M5 IRF644SPBF
描述 STMICROELECTRONICS STB22NS25ZT4 MOSFET Transistor, N Channel, 11A, 250V, 130mohm, 10V, 3VSTMICROELECTRONICS STD18N55M5 晶体管, MOSFET, N沟道, 13 A, 550 V, 0.18 ohm, 10 V, 4 VN 通道 MOSFET，200V 至 250V，Vishay Semiconductor### MOSFET 晶体管，Vishay Semiconductor
数据手册 ---
制造商 ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体) VISHAY (威世)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 3 3 3
封装 TO-263-3 TO-252-3 TO-263-3
额定电压(DC) 250 V - -
额定电流 22.0 A - -
漏源极电阻 0.13 Ω 0.18 Ω 0.28 Ω
极性 N-Channel N-Channel N-Channel
耗散功率 135 W 90 W 3.1 W
阈值电压 3 V 4 V 4 V
漏源极电压(Vds) 250 V 550 V 250 V
漏源击穿电压 250 V 550 V -
栅源击穿电压 ±20.0 V - -
连续漏极电流(Ids) 11.0 A 16A 14.0 A
上升时间 30 ns 9.5 ns -
输入电容(Ciss) 2400pF @25V(Vds) 1260pF @100V(Vds) 1300pF @25V(Vds)
下降时间 78 ns 13 ns -
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 135W (Tc) 110W (Tc) 3.1 W
针脚数 - 3 3
额定功率(Max) - 90 W 3.1 W
通道数 - 1 -
封装 TO-263-3 TO-252-3 TO-263-3
长度 - 6.6 mm 10.67 mm
宽度 - 6.2 mm 9.65 mm
高度 - 2.4 mm 4.83 mm
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
材质 - Silicon -
产品生命周期 Not Recommended for New Designs Active Active
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tube
最小包装 - - 2000
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC -
REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/12/17 -