IRF9952TR和IRF9952TRPBF

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IRF9952TR IRF9952TRPBF

描述 SOIC N+P 30V 3.5A/2.3AINFINEON  IRF9952TRPBF  双路场效应管, MOSFET, N和P沟道, 3.5 A, 30 V, 0.08 ohm, 10 V, 1 V

数据手册 --

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)

分类 晶体管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount

封装 SOIC-8 SOIC-8

引脚数 - 8

极性 N+P N-Channel, P-Channel

漏源极电压(Vds) 30 V 30 V

连续漏极电流(Ids) 3.5A/2.3A 3.5A/2.3A

输入电容(Ciss) 190pF @15V(Vds) 190pF @15V(Vds)

额定功率(Max) 2 W 2 W

额定功率 - 2 W

通道数 - 2

针脚数 - 8

漏源极电阻 - 0.08 Ω

耗散功率 - 2 W

阈值电压 - 1 V

输入电容 - 190 pF

漏源击穿电压 - 30 V

工作温度(Max) - 150 ℃

工作温度(Min) - -55 ℃

耗散功率(Max) - 2 W

封装 SOIC-8 SOIC-8

长度 - 5 mm

宽度 - 4 mm

高度 - 1.5 mm

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Obsolete Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead Lead Free

REACH SVHC版本 - 2015/12/17

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