对比图
型号 PDTB113EK PDTB113ZK PDTB113ET
描述 低VCEsat晶体管（ BISS ）晶体管 Low VCEsat (BISS) transistors低VCEsat晶体管（ BISS ）晶体管 Low VCEsat (BISS) transistorsPNP 晶体管，NXP### 数字晶体管，NXP配备电阻器的双极性晶体管也称为数字晶体管或偏流电阻器的晶体管，包含一个或两个集成电阻器。 单一系列输入电阻器，或两个电阻器的分压器能直接从数字源驱动这些设备。 提供单和双晶体管型号。
数据手册 ---
制造商 NXP (恩智浦) NXP (恩智浦) NXP (恩智浦)
分类 晶体管
安装方式 - - Surface Mount
引脚数 - - 3
封装 MPAK MPAK TO-236
极性 PNP PNP PNP, P-Channel
耗散功率 - - 250 mW
击穿电压(集电极-发射极) 50 V 50 V 50 V
集电极最大允许电流 500mA 500mA 500mA
最小电流放大倍数(hFE) - - 33
工作温度(Max) - - 150 ℃
工作温度(Min) - - -65 ℃
长度 - - 3 mm
宽度 - - 1.4 mm
高度 - - 1 mm
封装 MPAK MPAK TO-236
产品生命周期 Unknown Unknown Unknown
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free - -