SPB80N04S2-04和STB150NF04

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 SPB80N04S2-04 STB150NF04 STB170NF04

描述 的OptiMOS功率三极管 OptiMOS Power-TransistorN沟道40 V - 0.005 Ω - 80 A - D2PAK的STripFET ™II功率MOSFET N-channel 40 V - 0.005 Ω - 80 A - D2PAK STripFET™II Power MOSFETN沟道 40V 80A

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

封装 TO-263-3-2 TO-263-3 TO-263-3

通道数 - 1 -

漏源极电阻 - 7 mΩ -

耗散功率 300W (Tc) 300 W 300 W

漏源极电压(Vds) 40 V 40 V 40 V

漏源击穿电压 - 40 V -

上升时间 - 150 ns 57 ns

输入电容(Ciss) 6980pF @25V(Vds) 3650pF @25V(Vds) 9000pF @25V(Vds)

下降时间 - 45 ns 66 ns

工作温度(Max) - 175 ℃ 175 ℃

工作温度(Min) - 55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 300W (Tc) 300W (Tc) 300W (Tc)

极性 N-CH - N-CH

连续漏极电流(Ids) 80.0 A - 80A

额定电压(DC) 40.0 V - -

额定电流 80.0 A - -

输入电容 6.98 nF - -

栅电荷 170 nC - -

长度 - 10.4 mm 10.4 mm

宽度 - 9.35 mm 9.35 mm

高度 - 4.6 mm 4.6 mm

封装 TO-263-3-2 TO-263-3 TO-263-3

工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)

产品生命周期 Obsolete Obsolete Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead Lead Free Lead Free

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