IRFS31N20D和PSMN070-200B,118

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IRFS31N20D PSMN070-200B,118 FQB34N20LTM

描述 D2PAK N-CH 200V 31AMOSFET N-CH 200V 35A SOT404FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FQB34N20LTM  晶体管, MOSFET, N沟道, 31 A, 200 V, 75 mohm, 10 V, 2 V

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) NXP (恩智浦) Fairchild (飞兆/仙童)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

封装 TO-263 TO-263-3 TO-263-3

引脚数 - - 2

耗散功率 - 250 W 180 W

漏源极电压(Vds) 200 V 200 V 200 V

上升时间 38 ns 100 ns 520 ns

输入电容(Ciss) - 4570pF @25V(Vds) 3900pF @25V(Vds)

额定功率(Max) - 250 W 3.13 W

下降时间 10 ns 90 ns 370 ns

耗散功率(Max) - 250W (Tc) 3.13 W

额定电压(DC) 200 V - 200 V

额定电流 31.0 A - 31.0 A

极性 N-CH - N-Channel

产品系列 IRFS31N20D - -

连续漏极电流(Ids) 31.0 A - 31.0 A

针脚数 - - 2

漏源极电阻 - - 75 mΩ

阈值电压 - - 2 V

输入电容 - - 3.90 nF

栅电荷 - - 72.0 nC

漏源击穿电压 - - 200 V

栅源击穿电压 - - ±20.0 V

工作温度(Max) - - 150 ℃

工作温度(Min) - - -55 ℃

封装 TO-263 TO-263-3 TO-263-3

长度 - - 10.67 mm

宽度 - - 9.65 mm

高度 - - 4.83 mm

工作温度 -55℃ ~ 175℃ -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Bulk Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - - No SVHC

REACH SVHC版本 - - 2015/06/15

ECCN代码 - - EAR99

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