IRFS3006-7PPBF和IRFS3006TRL7PP

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IRFS3006-7PPBF IRFS3006TRL7PP IRF3805S-7PPBF

描述 INFINEON  IRFS3006-7PPBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 293 A, 60 V, 1.5 mohm, 20 V, 4 V晶体管, MOSFET, N沟道, 240 A, 60 V, 0.0015 ohm, 10 V, 4 VINFINEON  IRF3805S-7PPBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 160 A, 55 V, 2.6 mohm, 10 V, 4 V

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 7 7 7

封装 TO-263-7 TO-263-7 TO-263-7

额定功率 375 W 375 W 300 W

针脚数 7 7 7

漏源极电阻 0.0015 Ω 1.5 mΩ 0.0026 Ω

极性 N-Channel N-Channel N-Channel

耗散功率 375 W 375 W 300 W

阈值电压 4 V 4 V 4 V

漏源极电压(Vds) 60 V 60 V 55 V

连续漏极电流(Ids) 293A 293A 240A

上升时间 61 ns 61 ns 130 ns

输入电容(Ciss) 8850pF @50V(Vds) 8850pF @50V(Vds) 7820pF @25V(Vds)

额定功率(Max) - - 300 W

下降时间 69 ns 69 ns 52 ns

工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ 175 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ 55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 375W (Tc) 375W (Tc) 300W (Tc)

通道数 - 1 -

输入电容 8850pF @50V 8850 pF -

漏源击穿电压 - 60 V -

高度 4.83 mm 2.3 mm 4.55 mm

封装 TO-263-7 TO-263-7 TO-263-7

长度 10.67 mm 10.67 mm -

宽度 9.65 mm 6.22 mm -

工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)

材质 - Silicon -

产品生命周期 Not For New Designs Active Not Recommended for New Designs

包装方式 Tube Tape & Reel (TR) Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC版本 2015/12/17 - 2015/12/17

ECCN代码 EAR99 - -

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