对比图
型号 HAT2165H-EL-E PSMN2R0-30YL,115 PH6325L,115
描述 硅N通道功率MOS FET电源开关 Silicon N Channel Power MOS FET Power SwitchingPSMN Series 30V 2mOhm 97W N-Channel Logic Level Mosfet SMT - SOT-669LFPAK N-CH 25V 78.7A
数据手册 ---
制造商 Renesas Electronics (瑞萨电子) NXP (恩智浦) NXP (恩智浦)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 5 4 4
封装 SOT-669 SOT-669 SOT-669
通道数 - 1 -
漏源极电阻 - 0.00155 Ω -
极性 N-CH N-Channel N-Channel
耗散功率 30 W 97 W 62.5 W
阈值电压 - 1.7 V -
漏源极电压(Vds) 30 V 30 V 25 V
连续漏极电流(Ids) 55A 100 A 78.7 A
上升时间 65 ns 65 ns 25 ns
输入电容(Ciss) 5180pF @10V(Vds) 3980pF @12V(Vds) 1871pF @12V(Vds)
额定功率(Max) 30 W 97 W 62.5 W
下降时间 9.5 ns 28 ns 12 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 175 ℃ -
耗散功率(Max) 30W (Tc) 97W (Tc) 62.5W (Tc)
工作温度(Min) -55 ℃ - -
宽度 - 4.1 mm -
封装 SOT-669 SOT-669 SOT-669
工作温度 150℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
材质 Silicon - -
产品生命周期 Active Active Not Recommended for New Designs
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -
ECCN代码 EAR99 - -