对比图
型号 SI4435DDY-T1-E3 SI9435BDY-T1-E3 SI4953ADY-T1-E3
描述 VISHAY SI4435DDY-T1-E3. 场效应管, MOSFET, P沟道, 30V, 11.4AVISHAY SI9435BDY-T1-E3 场效应管, MOSFET, P沟道, 8-SOICVISHAY SI4953ADY-T1-E3 场效应管, MOSFET, 双P沟道, -30V, SOIC-8
数据手册 ---
制造商 Vishay Semiconductor (威世) Vishay Semiconductor (威世) Vishay Semiconductor (威世)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount -
引脚数 8 8 8
封装 SOIC SOIC-8 SO
额定功率 2.5 W - -
针脚数 8 8 -
漏源极电阻 0.0195 Ω 0.07 Ω 90.0 mΩ
极性 P-Channel P-Channel Dual P-Channel
耗散功率 5 W 2.5 W 2.00 W
漏源极电压(Vds) -30.0 V -30.0 V -30.0 V
连续漏极电流(Ids) -11.4 A -5.70 A 4.90 A, -4.90 A
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ -
上升时间 - 14 ns 10 ns
下降时间 - 30 ns 20 ns
工作温度(Min) - -55 ℃ -
栅源击穿电压 - - ±20.0 V
封装 SOIC SOIC-8 SO
长度 - 5 mm -
高度 - 1.55 mm -
工作温度 -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC - -
REACH SVHC版本 2015/06/15 - -
ECCN代码 - EAR99 -