DDTC123JUA-7和MUN5235T1G

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 DDTC123JUA-7 MUN5235T1G

描述 Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 200mW Automotive 3Pin SOT-323 T/RON SEMICONDUCTOR  MUN5235T1G  晶体管 双极预偏置/数字, AEC-Q100, 50 V, 100 mA, 2.2 kohm, 4.7 kohm, 0.47 电阻比率, SOT-323 新

数据手册 --

制造商 Diodes (美台) ON Semiconductor (安森美)

分类 双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount

封装 SOT-323-3 SC-70-3

引脚数 3 3

击穿电压(集电极-发射极) 50 V 50 V

最小电流放大倍数(hFE) 80 @10mA, 5V 80 @5mA, 10V

额定功率(Max) 200 mW 202 mW

额定电压(DC) 50.0 V 50.0 V

额定电流 100 mA 100 mA

极性 NPN N-Channel

耗散功率 200 mW 0.31 W

集电极最大允许电流 100mA 100mA

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃

增益带宽 250 MHz -

耗散功率(Max) 200 mW 310 mW

封装 SOT-323-3 SC-70-3

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead Lead Free

REACH SVHC版本 - 2015/12/17

产品生命周期 Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

ECCN代码 EAR99 EAR99

工作温度 - -55℃ ~ 150℃

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