对比图
描述 硅NPN晶体管 Silicon NPN TransistorDNLS350E-13 编带
数据手册 --
制造商 Infineon (英飞凌) Diodes (美台)
分类 双极性晶体管双极性晶体管
安装方式 Surface Mount Surface Mount
封装 SOT-223-4-10 TO-261-4
引脚数 - 4
额定功率 1.5 W 1 W
极性 NPN NPN
击穿电压(集电极-发射极) 45 V 50 V
集电极最大允许电流 3A 3A
频率 - 100 MHz
耗散功率 - 1 W
最小电流放大倍数(hFE) - 100 @2A, 2V
最大电流放大倍数(hFE) - 200 @0.5A, 2V
额定功率(Max) - 1 W
工作温度(Max) - 150 ℃
工作温度(Min) - -55 ℃
耗散功率(Max) - 3000 mW
封装 SOT-223-4-10 TO-261-4
长度 - 6.5 mm
宽度 - 3.5 mm
高度 - 1.6 mm
产品生命周期 Active Active
包装方式 - Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 - No SVHC
工作温度 - -55℃ ~ 150℃ (TJ)
ECCN代码 - EAR99