对比图
型号 BSC028N06LS3GATMA1 CSD18532Q5B FDMS86500L
描述 INFINEON BSC028N06LS3GATMA1 晶体管, MOSFET, N沟道, 100 A, 60 V, 0.0023 ohm, 10 V, 1.7 V60V，N 通道 NexFET 功率 MOSFETFAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDMS86500L 晶体管, MOSFET, N沟道, 80 A, 60 V, 0.0021 ohm, 10 V, 1.8 V
数据手册 ---
制造商 Infineon (英飞凌) TI (德州仪器) Fairchild (飞兆/仙童)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 8 8 8
封装 PG-TDSON-8 VSON-Clip-8 Power-56-8
通道数 - 1 1
针脚数 8 8 8
漏源极电阻 0.0023 Ω 0.0025 Ω 0.0021 Ω
极性 N-Channel N-Channel N-Channel
耗散功率 139 W 3.2 W 104 W
阈值电压 1.7 V 1.8 V 1.8 V
漏源极电压(Vds) 60 V 60 V 60 V
漏源击穿电压 - 60 V -
连续漏极电流(Ids) 23A 100A 25A
上升时间 17 ns 7.2 ns 16 ns
输入电容(Ciss) 13000pF @30V(Vds) 5070pF @30V(Vds) 12530pF @30V(Vds)
额定功率(Max) 139 W 3.2 W 2.5 W
下降时间 19 ns 3.1 ns 7.8 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ 55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 2.5W (Ta), 139W (Tc) 3.2W (Ta), 156W (Tc) 104 W
额定功率 139 W - -
长度 5.35 mm 6 mm 5 mm
宽度 6.1 mm 5 mm 6 mm
高度 1.1 mm 1 mm 1.05 mm
封装 PG-TDSON-8 VSON-Clip-8 Power-56-8
材质 - Silicon -
工作温度 -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Active 正在供货 Active
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Contains Lead Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC - No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17 - 2015/06/15
香港进出口证 - NLR -