AUIRFR120ZTRL和IRFR120ZTRPBF

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 AUIRFR120ZTRL IRFR120ZTRPBF IRFR120ZPBF

描述 DPAK N-CH 100V 8.7A单 P沟道 -12 V 1.3 W 10 nC 功率Mosfet 表面贴装 - MICRO-3INFINEON  IRFR120ZPBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 8.7 A, 100 V, 190 mohm, 10 V, 4 V

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 3

封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3

额定功率 - 35 W 35 W

针脚数 - 3 3

漏源极电阻 - 0.15 Ω 0.19 Ω

极性 N-CH N-Channel N-CH

耗散功率 35 W 35 W 35 W

阈值电压 - 4 V 4 V

漏源极电压(Vds) 100 V 100 V 100 V

连续漏极电流(Ids) 8.7A 8.7A 8.7A

上升时间 26 ns 26 ns 26 ns

输入电容(Ciss) 310pF @25V(Vds) 310pF @25V(Vds) 310pF @25V(Vds)

下降时间 23 ns 23 ns 23 ns

工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ 175 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 35W (Tc) 35W (Tc) 35W (Tc)

额定功率(Max) - 35 W -

通道数 1 - -

长度 6.5 mm 6.5 mm 6.73 mm

宽度 6.22 mm 6.22 mm 6.22 mm

高度 2.3 mm 2.3 mm 2.39 mm

封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3

材质 Silicon - Silicon

工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)

产品生命周期 Obsolete Active Not Recommended for New Designs

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 无铅 Lead Free Lead Free

REACH SVHC版本 - - 2015/12/17

ECCN代码 - EAR99 -

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