对比图
描述 MOSFET晶体管 5-150MHz 150Watts 50Volt Gain 17dB射频功率晶体管HF / VHF / UHF N沟道MOSFET RF POWER TRANSISTORS HF/VHF/UHF N-CHANNEL MOSFETsNXP BLF177 晶体管, 射频FET, 125 V, 16 A, 220 W, 1 MHz, 108 MHz
数据手册 ---
制造商 M/A-Com ST Microelectronics (意法半导体) NXP (恩智浦)
分类 晶体管MOS管MOS管
安装方式 Flange Surface Mount Flange
引脚数 4 4 4
封装 211-11 M-174 -
电源电压(DC) - - 50.0 V
额定电压(DC) - 125 V 125 V
额定电流 16 A 20 A 16.0 A
针脚数 - - 4
极性 - N-Channel N-Channel
耗散功率 300000 mW 389000 mW 220 W
漏源极电压(Vds) - 125 V 125 V
漏源击穿电压 125V (min) 125 V 125V (min)
连续漏极电流(Ids) - 20.0 A 16.0 A
增益 8dB ~ 17dB 15 dB 19.0 dB
工作温度(Max) - 200 ℃ 200 ℃
频率 30MHz ~ 150MHz 175 MHz -
输入电容 - 480 pF -
栅源击穿电压 - ±20.0 V -
输出功率 150 W 150 W -
测试电流 250 mA 250 mA -
输入电容(Ciss) 400pF @50V(Vds) 480pF @50V(Vds) -
输出功率(Max) - 150 W -
工作温度(Min) - -65 ℃ -
耗散功率(Max) 300000 mW 389000 mW -
额定电压 125 V 125 V -
封装 211-11 M-174 -
产品生命周期 Unknown Active Unknown
包装方式 Tray Tray Tray
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC版本 - - 2015/12/17
ELV标准 Compliant - -
ECCN代码 - EAR99 EAR99
工作温度 - -65℃ ~ 200℃ -