BCR148S和RN1904

对比图

型号 BCR148S RN1904 PUMH2,115

描述 NPN硅晶体管数字 NPN Silicon Digital TransistorRN1904 NPN+NPN复合带阻尼三极管 50V 100mA 80 200mW/0.2W SOT-363/US6/SC70-6 标记XD 开关电路 逆变器 接口电路 驱动电路NXP  PUMH2,115  双极晶体管阵列, NPN, 50 V, 200 mW, 100 mA, 80 hFE, SOT-363

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Toshiba (东芝) NXP (恩智浦)

分类 双极性晶体管

封装 SOT-363 SOT-363 SOT-363-6

安装方式 Surface Mount - Surface Mount

引脚数 - - 6

极性 NPN NPN NPN

击穿电压(集电极-发射极) 50 V 50 V 50 V

集电极最大允许电流 100mA 100mA 100mA

针脚数 - - 6

耗散功率 - - 200 mW

最小电流放大倍数(hFE) - - 80 @5mA, 5V

额定功率(Max) - - 300 mW

直流电流增益(hFE) - - 80

工作温度(Max) - - 150 ℃

工作温度(Min) - - -65 ℃

耗散功率(Max) - - 300 mW

封装 SOT-363 SOT-363 SOT-363-6

高度 - - 1 mm

产品生命周期 End of Life Active Active

包装方式 - - Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - - No SVHC

REACH SVHC版本 - - 2015/12/17

工作温度 - - -65℃ ~ 150℃