2N7002LT1G和BS170RLRAG

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 2N7002LT1G BS170RLRAG 2N7002TA

描述 ON SEMICONDUCTOR  2N7002LT1G  晶体管, MOSFET, N沟道, 115 mA, 60 V, 7.5 ohm, 10 V, 2.5 VON SEMICONDUCTOR  BS170RLRAG  场效应管, MOSFET, N沟道, 0.350W, TO-92DIODES INC.  2N7002TA  晶体管, MOSFET, N沟道, 115 mA, 60 V, 7.5 ohm, 10 V, 2.5 V

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美) Diodes (美台)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Through Hole Surface Mount

引脚数 3 3 3

封装 SOT-23-3 TO-92-3 SOT-23-3

额定电压(DC) 60.0 V 60.0 V 60.0 V

额定电流 115 mA 500 mA 115 mA

漏源极电阻 7.5 Ω 5 Ω 7.5 Ω

极性 N-Channel N-Channel N-Channel

耗散功率 200 mW 350 mW 330 mW

阈值电压 2.5 V 2 V 2.5 V

漏源极电压(Vds) 60 V 60 V 60 V

漏源击穿电压 60 V 60 V 60.0 V

栅源击穿电压 ±20.0 V ±20.0 V ±40.0 V

连续漏极电流(Ids) 115 mA 500 mA 115 mA

输入电容(Ciss) 50pF @25V(Vds) 60pF @10V(Vds) 50pF @25V(Vds)

额定功率(Max) 225 mW 350 mW 330 mW

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

耗散功率(Max) 225mW (Ta) 350mW (Ta) 330mW (Ta)

额定功率 0.225 W - -

无卤素状态 Halogen Free - -

通道数 1 1 -

针脚数 3 3 -

正向电压(Max) 1.5 V - -

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -

封装 SOT-23-3 TO-92-3 SOT-23-3

长度 2.9 mm 5.2 mm -

宽度 1.3 mm 4.19 mm -

高度 0.94 mm 5.33 mm -

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Obsolete

包装方式 Cut Tape (CT) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC - No SVHC

REACH SVHC版本 - - 2015/12/17

ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99

香港进出口证 - NLR -

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