PMBFJ308和PMBFJ309,215

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 PMBFJ308 PMBFJ309,215 PMBFJ308,215

描述 N 通道 JFET,NXP### JFET 晶体管一系列 JFET(接线场效应晶体管)和 HEMT/HFET(高电子迁移率晶体管/异质结 FET)分立半导体设备。PMBFJ309 系列 25 Vds 50 mA N 通道 硅 场效应晶体管 - TO-236ABNXP PMBFJ308,215 N通道 JFET 晶体管, Vds=25 V, Idss: 12 → 60mA, 3引脚 SOT-23 (TO-236AB)封装

数据手册 ---

制造商 NXP (恩智浦) NXP (恩智浦) NXP (恩智浦)

分类 JFET晶体管JFET晶体管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 3

封装 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23-3

漏源极电阻 50 Ω 50 Ω 50 Ω

漏源极电压(Vds) 25 V 25 V 25 V

击穿电压 25 V 25 V 25 V

输入电容(Ciss) 5pF @10V(Vds) 5pF @10V(Vds) 5pF @10V(Vds)

额定功率(Max) 250 mW 250 mW 250 mW

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -65 ℃ -65 ℃ -65 ℃

击穿电压 - -25.0 V -

针脚数 - 3 -

耗散功率 - 250 mW 250 mW

漏源击穿电压 - 25 V -

栅源击穿电压 - 25 V -

耗散功率(Max) - 250 mW 250 mW

长度 3 mm 3 mm 3 mm

宽度 1.4 mm 1.4 mm 1.4 mm

高度 1 mm 1 mm 1 mm

封装 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23-3

产品生命周期 Unknown Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -

材质 - Silicon -

工作温度 - 150℃ (TJ) 150℃ (TJ)

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