对比图
型号 IRLR3636PBF STD60N55F3 AUIRLR3636
描述 N沟道 60V 50AN 通道 STripFET™ F3，STMicroelectronicsSTripFET™ MOSFET，带宽击穿电压范围，可提供超低栅极电话和低接通电阻。### MOSFET 晶体管，STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 60V 99A Automotive 3Pin(2+Tab) DPAK Tube
数据手册 ---
制造商 International Rectifier (国际整流器) ST Microelectronics (意法半导体) International Rectifier (国际整流器)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 3 3 3
封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3
漏源极电阻 6.8 mΩ - 0.0054 Ω
极性 N-Channel N-CH N-Channel
耗散功率 143 W 110 W 143 W
产品系列 IRLR3636 - AUIRLR3636
阈值电压 2.5 V - 1 V
漏源极电压(Vds) 60 V 55 V 60 V
连续漏极电流(Ids) 99.0 A 80A -
输入电容(Ciss) 3779pF @50V(Vds) 2200pF @25V(Vds) 3779pF @50V(Vds)
额定功率(Max) 143 W 110 W 143 W
工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ 175 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
输入电容 - 2200 pF -
上升时间 - 50 ns -
下降时间 - 11.5 ns -
耗散功率(Max) - 110W (Tc) -
封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3
长度 - 6.6 mm -
宽度 - 6.2 mm -
高度 - 2.4 mm -
工作温度 -55℃ ~ 175℃ -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Rail, Tube Tape & Reel (TR) Rail, Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC - No SVHC
REACH SVHC版本 2014/12/17 - 2014/12/17
ECCN代码 - EAR99 -