LMUN5235DW1T1G和SMUN5235DW1T3G

对比图

型号 LMUN5235DW1T1G SMUN5235DW1T3G MUN5235DW1T1

描述 三极管MUN5235DW1: 双 NPN 双极数字晶体管 (BRT)Dual Bias Resistor Transistors

数据手册 ---

制造商 Leshan Radio (乐山无线电) ON Semiconductor (安森美) Leshan Radio (乐山无线电)

分类 双极性晶体管

安装方式 Surface Mount Surface Mount -

引脚数 - 6 -

封装 SC-88 SOT-363 -

极性 - NPN -

耗散功率 - 0.385 W -

击穿电压(集电极-发射极) - 50 V -

集电极最大允许电流 - 100mA -

最小电流放大倍数(hFE) 80 80 @5mA, 10V -

额定功率(Max) - 187 mW -

工作温度(Max) - 150 ℃ -

工作温度(Min) - -55 ℃ -

耗散功率(Max) - 385 mW -

封装 SC-88 SOT-363 -

工作温度 - -55℃ ~ 150℃ -

产品生命周期 Unknown Active Unknown

包装方式 - Tape & Reel (TR) -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant -

含铅标准 Lead Free Lead Free -

ECCN代码 - EAR99 -