IRFR024NTRLPBF和STD15NF10T4

对比图

型号 IRFR024NTRLPBF STD15NF10T4 AOD444

描述 MOSFET, Power; N-Ch; VDSS 55V; RDS(ON) 0.075Ω; ID 17A; D-Pak (TO-252AA); PD 45WSTMICROELECTRONICS  STD15NF10T4  晶体管, MOSFET, N沟道, 23 A, 100 V, 65 mohm, 10 V, 3 V60V,12A,N沟道MOSFET

数据手册 ---

制造商 International Rectifier (国际整流器) ST Microelectronics (意法半导体) Alpha & Omega Semiconductor (万代半导体)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 3

封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3

额定功率 - - 20 W

极性 N-Channel N-Channel N-CH

耗散功率 45 W 70 W 2 W

漏源极电压(Vds) 55 V 100 V 60 V

连续漏极电流(Ids) 16.0 A, 17.0 A 23.0 A 12A

上升时间 34.0 ns 45 ns 3.4 ns

输入电容(Ciss) 370pF @25V(Vds) 870pF @25V(Vds) 540pF @30V(Vds)

额定功率(Max) 45 W 70 W 20 W

下降时间 - 17 ns 2 ns

工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ 175 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) - 70W (Tc) 2.1W (Ta), 20W (Tc)

额定电压(DC) 55.0 V 100 V -

额定电流 17.0 A 23.0 A -

通道数 1 1 -

漏源极电阻 0.075 Ω 0.065 Ω -

产品系列 IRFR024N - -

输入电容 370pF @25V - -

漏源击穿电压 55 V 100 V -

针脚数 - 3 -

阈值电压 - 3 V -

栅源击穿电压 - ±20.0 V -

封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3

长度 6.73 mm 6.6 mm -

高度 2.39 mm 2.4 mm -

宽度 - 6.2 mm -

工作温度 -55℃ ~ 175℃ -55℃ ~ 175℃ -55℃ ~ 175℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC -

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -

ECCN代码 - EAR99 -