IRFZ48V和SUP85N10-10-E3

对比图

型号 IRFZ48V SUP85N10-10-E3 IRF540NPBF

描述 TO-220AB N-CH 60V 72ATrans MOSFET N-CH 100V 85A 3Pin(3+Tab) TO-220ABINFINEON  IRF540NPBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 33 A, 100 V, 44 mohm, 10 V, 4 V

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Vishay Siliconix Infineon (英飞凌)

分类 MOS管MOS管

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 - 3 3

封装 TO-220 TO-220-3 TO-220-3

额定功率 - - 140 W

针脚数 - - 3

漏源极电阻 - 0.0105 Ω 0.044 Ω

极性 N-CH N-Channel N-CH

耗散功率 - 250 W 130 W

阈值电压 - - 4 V

输入电容 - - 1960 pF

漏源极电压(Vds) 60 V 100 V 100 V

连续漏极电流(Ids) 72A 85.0 A 33A

上升时间 - 90 ns 35 ns

输入电容(Ciss) - 6550pF @25V(Vds) 1960pF @25V(Vds)

额定功率(Max) - - 130 W

下降时间 - 130 ns 35 ns

工作温度(Max) - 175 ℃ 175 ℃

工作温度(Min) - -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) - 3.75W (Ta), 250W (Tc) 130000 mW

漏源击穿电压 - 100 V -

栅源击穿电压 - ±20.0 V -

长度 - - 10.54 mm

宽度 - - 4.69 mm

高度 - - 8.77 mm

封装 TO-220 TO-220-3 TO-220-3

材质 - - Silicon

工作温度 - -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 - Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC -