对比图
型号 IRFZ48V SUP85N10-10-E3 IRF540NPBF
描述 TO-220AB N-CH 60V 72ATrans MOSFET N-CH 100V 85A 3Pin(3+Tab) TO-220ABINFINEON IRF540NPBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 33 A, 100 V, 44 mohm, 10 V, 4 V
数据手册 ---
制造商 Infineon (英飞凌) Vishay Siliconix Infineon (英飞凌)
分类 MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
引脚数 - 3 3
封装 TO-220 TO-220-3 TO-220-3
额定功率 - - 140 W
针脚数 - - 3
漏源极电阻 - 0.0105 Ω 0.044 Ω
极性 N-CH N-Channel N-CH
耗散功率 - 250 W 130 W
阈值电压 - - 4 V
输入电容 - - 1960 pF
漏源极电压(Vds) 60 V 100 V 100 V
连续漏极电流(Ids) 72A 85.0 A 33A
上升时间 - 90 ns 35 ns
输入电容(Ciss) - 6550pF @25V(Vds) 1960pF @25V(Vds)
额定功率(Max) - - 130 W
下降时间 - 130 ns 35 ns
工作温度(Max) - 175 ℃ 175 ℃
工作温度(Min) - -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) - 3.75W (Ta), 250W (Tc) 130000 mW
漏源击穿电压 - 100 V -
栅源击穿电压 - ±20.0 V -
长度 - - 10.54 mm
宽度 - - 4.69 mm
高度 - - 8.77 mm
封装 TO-220 TO-220-3 TO-220-3
材质 - - Silicon
工作温度 - -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 - Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 - No SVHC -