对比图
型号 BUK9512-55B BUK9512-55B,127
描述 的TrenchMOS ™逻辑电平FET TrenchMOS⑩ logic level FETTO-220AB N-CH 55V 79A
数据手册 --
制造商 NXP (恩智浦) NXP (恩智浦)
分类 MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole
封装 TO-220-3 TO-220-3
通道数 - 1
极性 N-CH N-CH
耗散功率 - 157 W
漏源极电压(Vds) 55 V 55 V
连续漏极电流(Ids) 79A 79A
输入电容(Ciss) 3693pF @25V(Vds) 3693pF @25V(Vds)
额定功率(Max) 157 W 157 W
耗散功率(Max) - 157W (Tc)
额定电压(DC) 55.0 V -
额定电流 75.0 A -
宽度 - 4.5 mm
封装 TO-220-3 TO-220-3
工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)
产品生命周期 Unknown Active
包装方式 Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free