DMN601DWK-7和PMGD780SN,115

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 DMN601DWK-7 PMGD780SN,115 DMN601DMK-7

描述 DMN601DWK-7 编带NXP  PMGD780SN,115  双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 300 mA, 60 V, 0.78 ohm, 10 V, 2 VDMN601 系列 60 V 2.4 Ohm 双 N-沟道 增强型 Mosfet - SOT-23-6

数据手册 ---

制造商 Diodes (美台) NXP (恩智浦) Diodes (美台)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 6 6 6

封装 SC-70-6 SOT-323-6 SOT-23-6

额定电压(DC) 60.0 V - 60.0 V

额定电流 305 mA - 305 mA

通道数 2 - -

针脚数 6 6 -

漏源极电阻 2 Ω 0.78 Ω -

极性 Dual N-Channel N-Channel, Dual N-Channel -

耗散功率 200 mW 410 mW 0.98 W

阈值电压 1.6 V 2 V -

漏源极电压(Vds) 60 V 60 V 60 V

漏源击穿电压 60 V - -

连续漏极电流(Ids) 305 mA 490 mA 305 mA

上升时间 3.4 ns 4 ns 3.4 ns

输入电容(Ciss) 50pF @25V(Vds) 23pF @30V(Vds) 50pF @25V(Vds)

额定功率(Max) 200 mW 410 mW 700 mW

下降时间 9.9 ns 2.2 ns 9.9 ns

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) 65 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 200 mW 0.41 W 980 mW

长度 2.2 mm 2.2 mm -

宽度 1.35 mm 1.35 mm -

高度 1 mm 1 mm -

封装 SC-70-6 SOT-323-6 SOT-23-6

工作温度 -65℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/12/17 -

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