MBD110DWT1G和MBD330DWT1G

对比图

型号 MBD110DWT1G MBD330DWT1G MBD110DWT1

描述 双肖特基势垒二极管 Dual Schottky Barrier DiodesON SEMICONDUCTOR  MBD330DWT1G  小信号二极管Dual Schottky Barrier Diodes

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美) Motorola (摩托罗拉)

分类 RF二极管肖特基二极管

安装方式 Surface Mount Surface Mount -

引脚数 - 6 -

封装 TSSOP-6 SC-70-6 -

额定电压(DC) 7.00 V 30.0 V -

额定电流 90.0 mA 1.00 A -

无卤素状态 - Halogen Free -

针脚数 - 6 -

正向电压 - 0.38 V -

耗散功率 120 mW 120 mW -

正向电流 - 10 mA -

正向电压(Max) - 450 mV -

正向电流(Max) - 200 mA -

工作温度(Max) 125 ℃ 125 ℃ -

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -

耗散功率(Max) 120 mW 120 mW -

长度 2 mm 2.2 mm -

宽度 1.25 mm 1.35 mm -

高度 0.9 mm 1 mm -

封装 TSSOP-6 SC-70-6 -

工作温度 -55℃ ~ 125℃ (TJ) -55℃ ~ 125℃ -

产品生命周期 Unknown Active Unknown

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant -

含铅标准 Lead Free Lead Free -

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -

ECCN代码 - EAR99 -