对比图
型号 STW25NM60ND TK20E60W APT6030BVRG
描述 N 通道 FDmesh™ 功率 MOSFET，STMicroelectronics### MOSFET 晶体管，STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 20A 3Pin TO-220TO-247 N-CH 600V 21A
数据手册 ---
制造商 ST Microelectronics (意法半导体) Toshiba (东芝) Microsemi (美高森美)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Through Hole - Through Hole
引脚数 3 - 3
封装 TO-247-3 - TO-247-3
针脚数 3 - -
漏源极电阻 0.13 Ω - -
极性 N-Channel - N-CH
耗散功率 160 W - 298 W
阈值电压 4 V - -
输入电容 2400 pF - 3.75 nF
漏源极电压(Vds) 600 V - 600 V
连续漏极电流(Ids) 21A - 21.0 A
上升时间 30 ns 25 ns 10 ns
输入电容(Ciss) 2400pF @50V(Vds) - 3750pF @25V(Vds)
额定功率(Max) 160 W - -
下降时间 40 ns 6 ns 8 ns
工作温度(Max) 150 ℃ - 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ - -55 ℃
耗散功率(Max) 160W (Tc) - 298000 mW
额定电压(DC) - - 600 V
额定电流 - - 21.0 A
栅电荷 - - 150 nC
长度 15.75 mm - -
宽度 5.15 mm - -
高度 20.15 mm - -
封装 TO-247-3 - TO-247-3
工作温度 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ -
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Tube - Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free - Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC - -
REACH SVHC版本 2015/12/17 - -