US1GHE3/5AT和US1G-E3/5AT

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 US1GHE3/5AT US1G-E3/5AT US1G

描述 DIODE 1A, 400V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-214AC, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, SMA, 2Pin, Signal DiodeVISHAY  US1G-E3/5AT  快速/超快二极管, 单, 400 V, 1 A, 1 V, 50 ns, 30 ARectifier Diode, 1Element, 1A, 400V V(RRM), Silicon, DO-214AC, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, SMA, 2Pin

数据手册 ---

制造商 Vishay Semiconductor (威世) Vishay Semiconductor (威世) Diotec Semiconductor

分类 TVS二极管整流二极管二极管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 - 2 2

封装 DO-214AC DO-214AC SMA

正向电压 1V @1A 1V @1A 1.25 V

反向恢复时间 50 ns 50 ns 50 ns

正向电流 1 A 1 A 1000 mA

最大正向浪涌电流(Ifsm) - 30 A -

正向电压(Max) 1V @1A 1 V -

正向电流(Max) - 1 A 1 A

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) 55 ℃ -55 ℃ -50 ℃

工作结温 - -55℃ ~ 150℃ -

负载电流 - - 1 A

长度 4.5 mm 4.5 mm -

宽度 2.79 mm 2.79 mm -

高度 2.09 mm 2.09 mm -

封装 DO-214AC DO-214AC SMA

产品生命周期 Obsolete Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

ECCN代码 - - EAR99

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