对比图
型号 FDD8586 STD17NF03LT4 STD60N3LH5
描述 N沟道PowerTrench MOSFET的20V ， 35A ， 5.5mOHM N-Channel PowerTrench MOSFET 20V, 35A, 5.5mOHMN 通道 STripFET™，STMicroelectronics### MOSFET 晶体管，STMicroelectronicsSTMICROELECTRONICS STD60N3LH5 晶体管, MOSFET, N沟道, 24 A, 30 V, 7.6 mohm, 10 V, 1.8 V
数据手册 ---
制造商 Fairchild (飞兆/仙童) ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 3 3 3
封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3
额定电压(DC) 20.0 V 30.0 V -
额定电流 35.0 A 17.0 A -
漏源极电阻 4.00 mΩ 0.05 Ω 7.6 mΩ
极性 N-Channel N-Channel N-Channel
耗散功率 77 W 30 W 60 W
输入电容 2.48 nF 320 pF -
栅电荷 48.0 nC - -
漏源极电压(Vds) 20 V 30 V 30 V
漏源击穿电压 20.0 V 30.0 V -
栅源击穿电压 ±20.0 V ±16.0 V -
连续漏极电流(Ids) 35.0 A 17.0 A 24.0 A
上升时间 11.0 ns 100 ns 33 ns
输入电容(Ciss) 2480pF @10V(Vds) 320pF @25V(Vds) 1350pF @25V(Vds)
额定功率(Max) 77 W 30 W 60 W
耗散功率(Max) 77W (Tc) 30W (Tc) 60W (Tc)
针脚数 - 3 3
阈值电压 - 1.5 V 1.8 V
下降时间 - 22 ns 4.2 ns
工作温度(Max) - 175 ℃ 175 ℃
工作温度(Min) - -55 ℃ -55 ℃
封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3
长度 - 6.6 mm -
宽度 - 6.2 mm -
高度 - 2.4 mm -
工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)
产品生命周期 Unknown Active Not Recommended for New Designs
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC No SVHC
REACH SVHC版本 - 2015/12/17 2015/12/17
ECCN代码 EAR99 EAR99 -