对比图
描述 PNP 复合晶体管，On Semiconductor这些 ON Semiconductor 复合晶体管是包含两个双极性晶体管（集成或分离设备）的复合结构。 这些设备连接，因此第二个晶体管进一步放大由第一个晶体管放大的电流。 ### 标准Manufacturer Part Nos with S or NSV prefix are automotive qualified to AEC-Q101 standard. ### 双极性晶体管，On SemiconductorON Semiconductor 的各种双极晶体管，包括以下类别：小信号晶体管 通用晶体管 双 NPN 和 PNP 晶体管 功率晶体管 高电压晶体管 射频双极晶体管 低噪声，双匹配和复杂的双极晶体管功率 NPN 晶体管，Fairchild Semiconductor### 双极晶体管，Fairchild Semiconductor双极性结点晶体管 (BJT) 板系列提供完整的解决方案，用于满足各种电路应用需求。 创新的封装设计用于提供最小尺寸、最高可靠性和最大热性能。塑料中功率互补硅晶体管 Plastic Medium-Power Complementary Silicon Transistors
数据手册 ---
制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美)
分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
引脚数 3 3 3
封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
额定电压(DC) -100 V - -100 V
额定电流 -5.00 A - -5.00 A
针脚数 - 3 3
极性 PNP, P-Channel - PNP
耗散功率 65 W 2 W 65 W
击穿电压(集电极-发射极) 100 V 100 V 100 V
集电极最大允许电流 5A - 5A
最小电流放大倍数(hFE) 1000 @3A, 3V 15 @3A, 4V 1000 @3A, 3V
额定功率(Max) 2 W 2 W 2 W
直流电流增益(hFE) 1000 15 1000
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -65 ℃ -65 ℃ -65 ℃
耗散功率(Max) 2000 mW 65 W 2000 mW
输出电压 100 V - -
输出电流 5 A - -
热阻 62.5℃/W (RθJA) - -
输入电压 2.5 V - -
频率 - 3 MHz -
封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
长度 10.28 mm 10.67 mm -
宽度 4.82 mm 4.83 mm -
高度 9.28 mm 16.51 mm -
工作温度 -65℃ ~ 150℃ (TJ) 150℃ (TJ) -65℃ ~ 150℃ (TJ)
材质 - Silicon -
产品生命周期 Active Active Unknown
包装方式 Tube Tube Tape & Reel (TR)
最小包装 - - 50
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free 无铅 Contains Lead
REACH SVHC版本 2015/12/17 - -
ECCN代码 EAR99 - EAR99