PDTA114ET,235和PDTA114ET,215

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 PDTA114ET,235 PDTA114ET,215

描述 TO-236AB PNP 50V 100mANXP  PDTA114ET,215  单晶体管 双极, BRT, PNP, -50 V, 180 MHz, 250 mW, 100 mA, 30 hFE

数据手册 --

制造商 NXP (恩智浦) NXP (恩智浦)

分类 双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3

封装 SOT-23-3 SOT-23-3

极性 PNP PNP

耗散功率 200 mW 250 mW

击穿电压(集电极-发射极) 50 V 50 V

集电极最大允许电流 100mA 100mA

最小电流放大倍数(hFE) 30 @5mA, 5V 30 @5mA, 5V

额定功率(Max) 250 mW 250 mW

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -65 ℃ -65 ℃

耗散功率(Max) 200 mW -

针脚数 - 3

直流电流增益(hFE) - 30

高度 1 mm 1 mm

封装 SOT-23-3 SOT-23-3

长度 - 3 mm

宽度 - 1.4 mm

产品生命周期 Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC

REACH SVHC版本 - 2015/12/17

工作温度 - -65℃ ~ 150℃

香港进出口证 - NLR

锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台