BD679和MJE802

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BD679 MJE802 BD679G

描述 STMICROELECTRONICS  BD679  单晶体管 双极, 达林顿, NPN, 60 V, 40 W, 4 A, 750 hFE硅NPN功率达林顿晶体管 SILICON NPN POWER DARLINGTON TRANSISTORS塑料中功率NPN硅达林顿 Plastic Medium−Power Silicon NPN Darlingtons

数据手册 ---

制造商 ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体) ON Semiconductor (安森美)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 3 3 3

封装 TO-126-3 TO-126-3 TO-126-3

额定电压(DC) 80.0 V 80.0 V 80.0 V

额定电流 4.00 A 4.00 A 4.00 A

针脚数 3 - 3

极性 NPN NPN NPN

耗散功率 40 W 40 W 40 W

击穿电压(集电极-发射极) 80 V 80 V 80 V

最小电流放大倍数(hFE) 750 @1.5A, 3V 750 @1.5A, 3V 750 @1.5A, 3V

额定功率(Max) 40 W 40 W 40 W

直流电流增益(hFE) 750 750 750

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -65 ℃ -65 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 40000 mW 40000 mW 40000 mW

无卤素状态 - - Halogen Free

集电极最大允许电流 - - 4A

最大电流放大倍数(hFE) - - 750 @1.5A, 3V

长度 7.8 mm - 7.74 mm

宽度 2.7 mm - 2.66 mm

高度 10.8 mm - 11.04 mm

封装 TO-126-3 TO-126-3 TO-126-3

工作温度 150℃ (TJ) 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tube Tube Bulk

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC - -

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 2015/12/17

ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99

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